相移振荡器是谁发明的?

发布时间:2019-09-03 10:17:27 来源:新葡萄京官网

相移振荡器是谁发明的?
 

  基尔比生于1923年,1950年在威斯康星大学获硕士学位。1958年他到得克萨斯仪器公司工作,按照国防部的要求,从事电子设备微型化的研究。虽然当时电子设备应用的电子管逐步被晶体管取代,但体积仍然比较庞大。1958年7月,基尔比苦苦思索实现电子设备微型化的办法。几经周折,他终于想到,将电子设备所需的全部电路元件,包括晶体管、电阻、电容在内,全部用同一种半导体材料制成;这些电路元件彼此必须绝缘,从而能单独起作用,且彼此没有干扰;全部电路元件,都焊接在半导体基片上或其附近,从而可以利用先进的半导体技术手段,使电路相互连接,这样元件在连接处不会出现短路并可实现电子设备的微型化。基尔比把这种电路称为固体电路。1958年9月,基尔比成功地制出了第一个安放在半导体锗片上的电路——相移振荡器。

  诺伊斯出生于1927年,读大学时,他就在晶体管理论方面奠定了坚实的基础。1955年他应聘到肖克莱公司工作,1957年离开公司创建了自己的“仙童半导体公司”,专门从事硅晶体管的研制。仙童公司主持技术工作的赫尔尼,提出用平面工艺来生产硅晶体管。无论结构怎样复杂和精密的晶体管,都可用这种平面工艺做在一片小小的半导体硅片上。这使仙童公司的科学家想到,不只是几个晶体管,即使是几十个、几百个甚至几百万个晶体管,都可以放到同一块硅片上。

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